名古屋工業大は、発光ダイオード（ＬＥＤ）の材料として知られる窒化ガリウムを使った高性能半導体の実用化を目指す研究センターを２０１３年３月に創設する。高性能半導体は次世代自動車やエアコン、パソコンの省エネ化や小型化に役立つと期待されている。

　高性能半導体の技術は０７年ごろに名工大の江川孝志教授らがシリコンの基板に窒化ガリウムを載せる方法で開発。シリコンで作られる現在の半導体に比べ約１０００倍性能が高く、二酸化炭素の排出量も７０〜９０％削減できるという。

　センターの名称は「窒化物半導体マルチビジネス創生センター（仮称）」。１０人の研究者が参加し、パナソニックや住友化学など国内企業１３社と共同研究をする。

　名工大は経済産業省からの補助金１４億円を合わせ、計２３億円でキャンパス内に地上３階、地下１階のセンターを建設する。

(2011年7月28日　中日新聞朝刊社会面より)