２０１４年にノーベル物理学賞を受賞した名古屋大の天野浩教授は２２日、物質・材料研究機構（茨城県つくば市）と連携し、省エネの切り札と期待される次世代型の「パワー半導体」の研究拠点を双方に設置すると発表した。ノーベル賞の理由となった材料の研究を発展させる。天野教授は東京都内で会見し、「３年後には１０分の１まで低コスト化し信頼できる基盤技術を提供する」と語った。（三輪喜人、坪井千隼）

　パワー半導体は、電気の流れを制御する電子部品で、電気自動車や鉄道、家電などで利用されている。現在の主流はシリコン素材だが、次世代型として窒化ガリウム（ＧａＮ）を材料に使うことで省電力化と小型化できる。普及すれば国内の電力使用量を１割以上抑えられるが、ＧａＮ結晶の品質向上などが課題となっている。

　名大は構内にクリーンルーム棟や新研究棟の整備を進めるなどしており、国内の研究機関などとの連携も模索していた。

　今回、発表した２カ所の研究拠点は本年度末までに新設し、合わせて１０人程度の研究者が参加する。それぞれの最先端設備を共同利用し、名大が結晶や半導体を作製、機構が分析、評価する。名大は天野教授、機構は小出康夫理事を代表とし「天野・小出共同研究ラボ」と名付ける。

　２人は、赤崎勇名城大終身教授が１９８０年代、教授を務めていた名大の研究室で大学院時代を過ごした仲。小出理事が１年先輩で、窒化ガリウム結晶化装置の第１号を２人で作り上げた。天野教授は「小出先輩とまた一緒に仕事できることになり感慨深い。赤崎先生の先見の明があったからこそ」と感謝した。

　天野教授は、青色発光ダイオードの開発で赤崎氏、中村修二米カリフォルニア大教授とノーベル賞を共同受賞した。

（2016年11月23日　中日新聞朝刊市民版より）