２０１４年にノーベル物理学賞を受賞した名古屋大の天野浩教授（５７）らの研究チームが１６日、東京都内で記者会見し、電力消費量を大幅に削減できる次世代型「パワー半導体」の技術開発に成功したと発表した。画期的な省エネ電子部品で、導入されれば、国内の全電力使用量を１割以上削減することが可能という。２３年度ごろの実用化を目指す。

　天野教授は、青色発光ダイオード（ＬＥＤ）の開発で赤崎勇名城大終身教授（８９）らと物理学賞を共同受賞。今回の次世代パワー半導体は、青色ＬＥＤと同じ素材「窒化ガリウム（ＧａＮ）」でできており、青色ＬＥＤ開発の鍵となったＧａＮの結晶化技術を発展させた。

　名古屋大と名城大などとの共同研究。パワー半導体は電圧や電流を制御する電子部品で、家電や電気自動車（ＥＶ）、送電システムなど幅広い分野で使われている。

　従来品は大半がシリコン製で電力ロスが大きいが、ＧａＮを使った次世代型は大幅な省電力が実現可能だ。

　チームは、ＧａＮの結晶構造の乱れを特定し減少させる技術や、従来よりも大きな結晶を作る技術などを独自開発し、実用化に向けてめどをつけた。今後は企業と連携し、低コスト化や高品質化に向けた技術開発を進めるという。

　天野教授は「究極の省エネ技術だと思う。省エネが進んでいない海外ではさらに効果が大きい。この技術で地球環境を守り、みなさんの生活を豊かにしていけたら」と語った。

（2018年5月17日　中日新聞朝刊30面より）